2025年赢在微点物理


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《2025年赢在微点物理》

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【典例6】 如图所示,一个各短边边长均为L,长边边长为3L的线框,匀速通过宽度为L的匀强磁场区域,磁场方向垂直于纸面向里,线框沿纸面运动,开始时线框右侧短边ab恰好与磁场左边界重合,此过程中最右侧短边两端点a、b两点间电势差$U_{ab}$随时间t变化关系图像正确的是( )


答案: D 解析 由题意可知,在0~L的运动中,ab边切割磁感线产生的感应电动势E₁ = BLv,a点电势高于b点电势,有Uₐᵦ = $\frac{9}{10}$BLv;L~2L的运动中,产生的感应电动势E₂ = 2BLv,a点电势低于b点电势,则有Uₐᵦ = - $\frac{1}{10}$×2BLv;2L~3L的运动中,最左边切割磁感线产生的感应电动势E₃ = 3BLv,a点电势高于b点电势,则有Uₐᵦ = $\frac{1}{10}$×3BLv = $\frac{3}{10}$BLv,D项正确。
【典例7】 (多选)如图甲所示,粗糙绝缘的水平桌面上,虚线左、右两侧空间均存在与桌面垂直的匀强磁场,右侧匀强磁场的方向垂直桌面向下,磁感应强度大小恒为$2B_{0}$;左侧匀强磁场的磁感应强度B随时间t变化的规律如图乙所示,规定垂直桌面向上为磁场的正方向。由硬质细导线绕成的边长为L的正方形线框放在桌面上,对角线MN正好与虚线重合,导线材料的电阻率为ρ、横截面积为$S_{0}$,左侧磁场变化时线框始终处于静止状态。在$0~3T_{0}$的时间内,以下说法正确的是( )

A. 在$0~2T_{0}$线框受到的摩擦力一直向右
B. 在$T_{0}$时刻,线框受到的安培力大小为$F = \frac{\sqrt{2}B_{0}^{2}L^{2}S_{0}}{4\rho T_{0}}$
C. 在$\frac{3}{2}T_{0}$时刻,线框受到的摩擦力为0
D. 在$0~3T_{0}$内,通过线框的电荷量$q = \frac{3B_{0}LS_{0}}{4\rho}$
答案: BD 解析 根据楞次定律线框内电流方向为顺时针方向,在0~$\frac{T₀}{2}$内左侧磁场垂直桌面向下,磁感应强度大于右侧磁场,线框受到安培力向左,受到的摩擦力向右,在$\frac{T₀}{2}$~2T₀内线框受到安培力向右,受到的摩擦力向左,A项错误;感应电动势E = $\frac{\Delta\varPhi}{\Delta t}$ = $\frac{\Delta B·S}{\Delta t}$ = $\frac{\Delta B·\frac{1}{2}L²}{\Delta t}$ = $\frac{B₀L²}{T₀}$,电流I = $\frac{E}{R}$ = $\frac{\frac{B₀L²}{T₀}}{\rho\frac{4L}{S₀}}$ = $\frac{B₀LS₀}{4\rho T₀}$,MPN受到的安培力F₁ = B₀I·$\sqrt{2}L$ = $\frac{\sqrt{2}B₀²L²S₀}{4\rho T₀}$,方向向左,MQN受到的安培力F₂ = 2B₀I·$\sqrt{2}L$ = $\frac{2\sqrt{2}B₀²L²S₀}{4\rho T₀}$,方向向右,所以线框受到的安培力大小为F = F₂ - F₁ = $\frac{\sqrt{2}B₀²L²S₀}{4\rho T₀}$,B项正确;在$\frac{3}{2}T₀$时刻,MPN受到的安培力为0,MQN受到的安培力不为0,则线框受到的摩擦力不为0,C项错误;在0~3T₀内,通过线框的电荷量q = $\frac{\Delta\varPhi}{R}$ = $\frac{6B₀S}{R}$ = $\frac{6B₀×\frac{1}{2}L²}{\rho\frac{4L}{S₀}}$ = $\frac{3B₀LS₀}{4\rho}$,D项正确。
【典例8】 在竖直向上的匀强磁场中,水平放置一个不变形的单匝金属圆线圈,规定线圈中感应电流的正方向如图甲所示,当磁场的磁感应强度B随时间t按图乙变化时,图中能正确表示线圈中感应电动势E变化的是( )

答案: A 解析 由题图乙知,0~1 s内磁通量向上均匀增加,根据楞次定律知,电流方向为正且保持不变;1~3 s内磁通量不变,故感应电动势为0;3~5 s内磁通量向上均匀减少,由楞次定律知,电流方向为负且保持不变。由法拉第电磁感应定律知,感应电动势的大小与磁通量的变化率成正比,所以3~5 s内的感应电动势是0~1 s内的感应电动势的$\frac{1}{2}$,A项正确。

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