2025年创新设计高考总复习物理人教版
注:目前有些书本章节名称可能整理的还不是很完善,但都是按照顺序排列的,请同学们按照顺序仔细查找。练习册 2025年创新设计高考总复习物理人教版 答案主要是用来给同学们做完题方便对答案用的,请勿直接抄袭。
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例4 如图7所示,将一均匀导线围成一圆心角为90°的扇形导线框OMN,圆弧MN的圆心为O点,将O点置于直角坐标系的原点,其中第二和第四象限存在垂直纸面向里的匀强磁场,其磁感应强度大小为B,第三象限存在垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为2B。t = 0时刻,让导线框从图示位置开始以O点为圆心沿逆时针方向做匀速圆周运动,规定电流方向ONM为正,在下面四幅图中能够正确表示电流i与时间t关系的是 ( )


答案:
例4 C [设扇形导线框半径为$R$,回路中总电阻为$r$,导线框转动的角速度为$\omega$,线框转动90°经过的时间为$t_{0}$。在0~$t_{0}$时间内,线框沿逆时针方向从题图所示位置开始($t = 0$)转过90°的过程中,产生的感应电动势为$E_{1}=\frac{1}{2}BR^{2}\omega$,由闭合电路欧姆定律得,回路中的电流为$I_{1}=\frac{E_{1}}{r}=\frac{BR^{2}\omega}{2r}$,根据楞次定律可知,线框中感应电流方向为逆时针方向(沿$ONM$方向)。在$t_{0}$~$2t_{0}$时间内,线框进入第三象限的过程中,回路中的电流方向为顺时针方向(沿$OMN$方向),回路中产生的感应电动势为$E_{2}=\frac{1}{2}BR^{2}\omega+\frac{1}{2}\times2BR^{2}\omega=\frac{3}{2}BR^{2}\omega = 3E_{1}$,感应电流为$I_{2}=3I_{1}$。在$2t_{0}$~$3t_{0}$时间内,线框进入第四象限的过程中,回路中的电流方向为逆时针方向(沿$ONM$方向),回路中产生的感应电动势为$E_{3}=\frac{1}{2}BR^{2}\omega+\frac{1}{2}\times2BR^{2}\omega=\frac{3}{2}BR^{2}\omega = 3E_{1}$,感应电流为$I_{3}=3I_{1}$,在$3t_{0}$~$4t_{0}$时间内,线框出第四象限的过程中,回路中的电流方向为顺时针方向(沿$OMN$方向),回路中产生的感应电动势为$E_{4}=\frac{1}{2}BR^{2}\omega$,回路电流为$I_{4}=I_{1}$,故C正确,A、B、D错误。]
4. 如图8所示,空间有两个宽度分别为L和2L的有界匀强磁场区域,磁感应强度大小都为B,左侧磁场方向垂直于纸面向里,右侧磁场方向垂直于纸面向外。abcd是一个由均匀电阻丝做成的边长为L的正方形线框,线框以垂直于磁场边界的速度v匀速通过两个磁场区域,在运动过程中,线框ab、cd两边始终与磁场的边界平行。设线框cd边刚进入磁场的位置为x = 0,x轴正方向水平向右,从线框cd边刚进入磁场开始到整个线框离开磁场区域的过程中,ab两点间的电势差Uₐᵦ和线框受到的安培力F(规定水平向右为正方向)随着位置x变化的图像正确的是 ( )


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答案:
跟踪训练
4.C [第一个过程:$cd$边刚进入左侧磁场到$cd$边刚要进入右侧磁场的过程,$ab$两点间的电势差$U_{0}=\frac{1}{4}BLv$ ($a$点电势高),$cd$边受安培力大小为$F_{0}=ILB=\frac{BLv}{R}LB=\frac{B^{2}L^{2}v}{R}$,方向向左;第二个过程:$cd$边刚进入右侧磁场到$ab$边刚进入右侧磁场的过程中,$a、b$两点间的电势差$U_{2}=BLv-\frac{2BLv}{R}\times\frac{R}{4}=\frac{1}{2}BLv = 2U_{0}$ ($a$点电势高),线框受到的安培力为$F_{2}=2I'LB = 2\frac{2BLv}{R}LB = 4\frac{B^{2}L^{2}v}{R}=4F_{0}$,方向向左;第三个过程:$ab$边离开左侧磁场到$cd$边到右侧磁场的右边界,在这个过程,线框中没有感应电流,所以线框不受安培力的作用,$ab$两点间的电势差$U_{3}=-BLv=-4U_{0}$ ($b$点电势高);第四个过程:$cd$边刚离开右侧磁场到$ab$边刚离开右侧磁场的过程,线圈受安培力,大小为$F_{4}=ILB=\frac{BLv}{R}LB=\frac{B^{2}L^{2}v}{R}=F_{0}$,方向向左,$ab$两点间的电势差$U_{4}=-\frac{3}{4}BLv=-3U_{0}$ ($b$点电势高),综合以上分析,C正确,A、B、D错误。]
4.C [第一个过程:$cd$边刚进入左侧磁场到$cd$边刚要进入右侧磁场的过程,$ab$两点间的电势差$U_{0}=\frac{1}{4}BLv$ ($a$点电势高),$cd$边受安培力大小为$F_{0}=ILB=\frac{BLv}{R}LB=\frac{B^{2}L^{2}v}{R}$,方向向左;第二个过程:$cd$边刚进入右侧磁场到$ab$边刚进入右侧磁场的过程中,$a、b$两点间的电势差$U_{2}=BLv-\frac{2BLv}{R}\times\frac{R}{4}=\frac{1}{2}BLv = 2U_{0}$ ($a$点电势高),线框受到的安培力为$F_{2}=2I'LB = 2\frac{2BLv}{R}LB = 4\frac{B^{2}L^{2}v}{R}=4F_{0}$,方向向左;第三个过程:$ab$边离开左侧磁场到$cd$边到右侧磁场的右边界,在这个过程,线框中没有感应电流,所以线框不受安培力的作用,$ab$两点间的电势差$U_{3}=-BLv=-4U_{0}$ ($b$点电势高);第四个过程:$cd$边刚离开右侧磁场到$ab$边刚离开右侧磁场的过程,线圈受安培力,大小为$F_{4}=ILB=\frac{BLv}{R}LB=\frac{B^{2}L^{2}v}{R}=F_{0}$,方向向左,$ab$两点间的电势差$U_{4}=-\frac{3}{4}BLv=-3U_{0}$ ($b$点电势高),综合以上分析,C正确,A、B、D错误。]
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