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1. 硅单质的性质和用途

存在:在自然界中主要以
化学性质
与非金属单质反应
$F_2$:$Si + 2F_2 = SiF_4$
$Cl_2$:$Si + 2Cl_2 \xlongequal{\triangle} SiCl_4$
与强碱($NaOH$)反应:
与氢氟酸反应:$Si + 4HF = SiF_4↑ + 2H_2↑$
主要用途:良好的
存在:在自然界中主要以
硅酸盐
和氧化物
的形式存在化学性质
与非金属单质反应
$F_2$:$Si + 2F_2 = SiF_4$
$Cl_2$:$Si + 2Cl_2 \xlongequal{\triangle} SiCl_4$
与强碱($NaOH$)反应:
${Si + 2NaOH + H_{2}O -> Na_{2}SiO_{3} + 2H_{2} \uparrow}$
与氢氟酸反应:$Si + 4HF = SiF_4↑ + 2H_2↑$
主要用途:良好的
半导体
材料;光太阳能电池;计算机芯片等
答案:
1.硅酸盐 氧化物 ${Si + 2NaOH + H_{2}O -> Na_{2}SiO_{3} + 2H_{2} \uparrow}$ 半导体
2. 二氧化硅的性质和用途

物理性质:难溶于水,熔点____,硬度____
化学性质
酸性氧化物
$NaOH$:$SiO_2 + 2NaOH = Na_2SiO_3 + H_2O$
$Na_2CO_3$:$SiO_2 + Na_2CO_3 \xlongequal{高温} Na_2SiO_3 + CO_2↑$
氧化性(与$C$反应):$SiO_2 + 2C \xlongequal{高温} Si + 2CO↑$
特性(溶于氢氟酸):________________________
主要用途:制取高纯硅;生产光导纤维
物理性质:难溶于水,熔点____,硬度____
化学性质
酸性氧化物
$NaOH$:$SiO_2 + 2NaOH = Na_2SiO_3 + H_2O$
$Na_2CO_3$:$SiO_2 + Na_2CO_3 \xlongequal{高温} Na_2SiO_3 + CO_2↑$
氧化性(与$C$反应):$SiO_2 + 2C \xlongequal{高温} Si + 2CO↑$
特性(溶于氢氟酸):________________________
主要用途:制取高纯硅;生产光导纤维
答案:
2.高 大 ${SiO_{2} + 4HF -> SiF_{4} \uparrow + 2H_{2}O}$
例1(2024·湖南怀化高三模拟)下列关于硅及其化合物的叙述错误的是(
A.硅是良好的半导体材料
B.二氧化硅属于酸性氧化物
C.硅酸的酸性比碳酸的酸性弱
D.常温下,硅的化学性质不活泼,不与任何物质反应
D
)A.硅是良好的半导体材料
B.二氧化硅属于酸性氧化物
C.硅酸的酸性比碳酸的酸性弱
D.常温下,硅的化学性质不活泼,不与任何物质反应
答案:
例1 D 解析 硅是良好的半导体材料,故A正确;二氧化硅能与强碱反应生成盐和水,是酸性氧化物,故B正确;非金属性:${Si < C}$,硅酸的酸性比碳酸弱,故C正确;常温下,硅的化学性质不活泼,但硅可与氢氧化钠溶液和氢氟酸反应,故D错误。
[对点训练1] 2023年5月30日,“神舟十六号”载人飞船在我国酒泉卫星发射中心成功发射,飞船使用了我国自主研发和生产的航天芯片,其中芯片全为我国制造,制作芯片的刻蚀液为硝酸与氢氟酸的混合液,工艺涉及反应为$Si + HNO_3 + 6HF = H_2SiF_6 + HNO_2 + H_2↑ + H_2O$,下列说法错误的是(
A.此反应不能在玻璃容器中进行
B.由此反应可判断氢氟酸是强酸
C.氧化性:$HNO_3 > H_2SiF_6$
D.标准状况下,生成$1.12L H_2$时,转移电子的物质的量为$0.2mol$
B
)A.此反应不能在玻璃容器中进行
B.由此反应可判断氢氟酸是强酸
C.氧化性:$HNO_3 > H_2SiF_6$
D.标准状况下,生成$1.12L H_2$时,转移电子的物质的量为$0.2mol$
答案:
对点训练1 B 解析 氢氟酸能腐蚀玻璃,此反应不能在玻璃容器中进行,A正确;该反应为氧化还原反应,不能由此反应判断氢氟酸是强酸,HF是弱酸,B错误;氧化剂的氧化性大于氧化产物,则氧化性:${HNO_{3} > H_{2}SiF_{6}}$,C正确;据关系式${Si~HNO_{3}~H_{2}SiF_{6}~HNO_{3}~H_{2}~4e^{-}}$,则标准状况下,生成$1.12\ {L}\ {H2}$($0.05\ {mol}$)时,转移电子的物质的量为$0.2\ {mol}$,D正确。
例2 高纯度晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料。它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。可以按下列方法制备:
$SiO_2 \xrightarrow[高温]{①C} Si(粗) \xrightarrow[300℃]{②HCl} SiHCl_3 \xrightarrow[1000~1100℃]{③过量H_2} Si(纯)$
下列说法不正确的是(
A.步骤①的化学方程式为$SiO_2 + C \xlongequal{高温} Si + CO_2↑$
B.步骤①中每生成$1mol Si$,转移$4mol$电子
C.高纯硅是制造太阳能电池的常用材料,二氧化硅是制造光导纤维的基本原料
D.$SiHCl_3$(沸点$33.0℃$)中含有少量的$SiCl_4$(沸点$67.6℃$),通过蒸馏(或分馏)可提纯$SiHCl_3$
$SiO_2 \xrightarrow[高温]{①C} Si(粗) \xrightarrow[300℃]{②HCl} SiHCl_3 \xrightarrow[1000~1100℃]{③过量H_2} Si(纯)$
下列说法不正确的是(
A
)A.步骤①的化学方程式为$SiO_2 + C \xlongequal{高温} Si + CO_2↑$
B.步骤①中每生成$1mol Si$,转移$4mol$电子
C.高纯硅是制造太阳能电池的常用材料,二氧化硅是制造光导纤维的基本原料
D.$SiHCl_3$(沸点$33.0℃$)中含有少量的$SiCl_4$(沸点$67.6℃$),通过蒸馏(或分馏)可提纯$SiHCl_3$
答案:
例2 A 解析 二氧化硅高温下与C反应生成CO气体,即步骤①的化学方程式为${SiO_{2} + 2C \xlongequal{高温} Si + 2CO \uparrow}$,A错误;步骤①中Si的化合价由+4价降低到0价,故生成$1\ {mol}\ {Si}$时转移电子$4\ {mol}$,B正确;高纯硅是半导体,是制造集成电路、太阳能电池的常用材料,二氧化硅是制造光导纤维的基本原料,C正确;${SiHCl_{3}}$和${SiCl_{4}}$的沸点相差$30\ {^{\circ}C}$以上,两种液体可以采用蒸馏的方法分离,D正确。
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