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1. 光伏电池板由
半导体是导电性能介于
半导体
材料制成。半导体是导电性能介于
导体
和绝缘体
之间的一些材料。半导体只有在光照
下才能导电。
答案:
半导体;导体;绝缘体;光照
2. 纯度很高的半导体材料,如高纯硅、锗等,电阻
很大(或较高)
。但如果在半导体材料中掺入微量的其他元素,它们的导电能力就会显著增强
。N型半导体和P型半导体,两种类型的半导体以不同的方式结合,能制成二极管
、三极管
等各种半导体元器件。
答案:
很大(或较高);增强;二极管;三极管
3.
芯片
是在一块半导体薄片上集成二极管、三极管和其他电子元件而制成的集成电路
。芯片的发明和应用,是二十世纪的一项创举,是信息时代的基础。
答案:
芯片;集成电路
4. 如图6-4-1甲所示的光敏电阻,其阻值$R$随光照度$E$[光照度是表示光的强弱程度的物理量,照射光越强,光照度越大。光照度用符号$E$表示,国际单位为勒克斯($lx$)]的变化关系如图6-4-1乙所示。把它接在图6-4-1丙所示的电路中,其中$R$是光敏电阻,$R_0$是定值电阻。
图6-4-1
(1) 光敏电阻主要是由
(2) 由图乙可知:当光照度增大时,光敏电阻的阻值
(3) 在图丙中,当光照度为$1.0 lx$时,闭合开关后,电流表的示数为$0.1 A$,电压表的示数为$2 V$,则定值电阻$R_0$的阻值为


图6-4-1
(1) 光敏电阻主要是由
半导体
(选填“超导体”“导体”“半导体”或“绝缘体”)材料制作而成的。(2) 由图乙可知:当光照度增大时,光敏电阻的阻值
减小
(选填“增大”“减小”或“不变”)。(3) 在图丙中,当光照度为$1.0 lx$时,闭合开关后,电流表的示数为$0.1 A$,电压表的示数为$2 V$,则定值电阻$R_0$的阻值为
20
$\Omega$;当光照度增大到$6.0 lx$时,电压表的示数变大
(选填“变大”“变小”或“不变”)。
答案:
(1) 半导体
(2) 减小
(3) $20 \, \Omega$, 变大
(1) 半导体
(2) 减小
(3) $20 \, \Omega$, 变大
5. 光刻技术是现代半导体集成电路中芯片制成的关键一环,其工作原理如图6-4-2所示。光源发出强紫外线,调整镂空掩膜版和缩图透镜之间的距离,使光通过二者后,恰好能在硅片上成清晰的像,从而实现纳米级集成电路的“雕刻”。下列说法正确的是(
图6-4-2

A.此投射原理与照相机的原理相同
B.缩图透镜对光有发散作用
C.硅片上的像是虚像
D.为了在硅片上成更小的像,可将镂空掩膜版靠近缩图透镜
A
)图6-4-2
A.此投射原理与照相机的原理相同
B.缩图透镜对光有发散作用
C.硅片上的像是虚像
D.为了在硅片上成更小的像,可将镂空掩膜版靠近缩图透镜
答案:
A
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