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1. (2024·湖南,11) 中和法生产Na₂HPO₄·12H₂O的工艺流程如下:

已知:①H₃PO₄的电离常数:$K_{a1}=6.9×10^{-3},$$K_{a2}=6.2×10^{-8},$$K_{a3}=4.8×10^{-13};$②Na₂HPO₄·12H₂O易风化。
下列说法错误的是 ( )
A. “中和”工序若在铁质容器中进行,应先加入Na₂CO₃溶液
B. “调pH”工序中X为NaOH或H₃PO₄
C. “结晶”工序中溶液显酸性
D. “干燥”工序需在低温下进行
已知:①H₃PO₄的电离常数:$K_{a1}=6.9×10^{-3},$$K_{a2}=6.2×10^{-8},$$K_{a3}=4.8×10^{-13};$②Na₂HPO₄·12H₂O易风化。
下列说法错误的是 ( )
A. “中和”工序若在铁质容器中进行,应先加入Na₂CO₃溶液
B. “调pH”工序中X为NaOH或H₃PO₄
C. “结晶”工序中溶液显酸性
D. “干燥”工序需在低温下进行
答案:
C [铁是较活泼金属,可与$H_{3}PO_{4}$反应生成氢气,故“中和”工序若在铁质容器中进行,应先加入$Na_{2}CO_{3}$溶液,A正确;若“中和”工序加入的$Na_{2}CO_{3}$过量,则需要加入酸性物质来调节pH,为了不引入新杂质,可加入$H_{3}PO_{4}$;若“中和”工序加入$H_{3}PO_{4}$过量,则需要加入碱性物质来调节pH,为了不引入新杂质,可加入$NaOH$,B正确;“结晶”工序中的溶液为饱和$Na_{2}HPO_{4}$溶液,$HPO_{4}^{2-}$的水解常数$K_{h}=\frac{K_{w}}{K_{a2}}=\frac{1.0\times10^{-14}}{6.2\times10^{-8}}\approx1.6\times10^{-7}>K_{a3}$,$Na_{2}HPO_{4}$的水解程度大于其电离程度,溶液显碱性,C错误;由于$Na_{2}HPO_{4}\cdot12H_{2}O$易风化失去结晶水,故“干燥”工序需要在低温下进行,D正确。]
2. (2024·黑吉辽,13) 某工厂利用铜屑脱除锌浸出液中的Cl⁻并制备Zn,流程如下,“脱氯”步骤仅Cu元素化合价发生改变。下列说法正确的是 ( )

锌浸出液中相关成分(其他成分无干扰)
|离子|Zn²⁺|Cu²⁺|Cl⁻|
|--|--|--|--|
|浓度/(g·L⁻¹)|145|0.03|1|
A. “浸铜”时应加入足量H₂O₂,确保铜屑溶解完全
B. “浸铜”反应:2Cu + 4H⁺ + H₂O₂ = 2Cu²⁺ + H₂↑ + 2H₂O
C. “脱氯”反应:Cu + Cu²⁺ + 2Cl⁻ = 2CuCl
D. 脱氯液净化后电解,可在阳极得到Zn
锌浸出液中相关成分(其他成分无干扰)
|离子|Zn²⁺|Cu²⁺|Cl⁻|
|--|--|--|--|
|浓度/(g·L⁻¹)|145|0.03|1|
A. “浸铜”时应加入足量H₂O₂,确保铜屑溶解完全
B. “浸铜”反应:2Cu + 4H⁺ + H₂O₂ = 2Cu²⁺ + H₂↑ + 2H₂O
C. “脱氯”反应:Cu + Cu²⁺ + 2Cl⁻ = 2CuCl
D. 脱氯液净化后电解,可在阳极得到Zn
答案:
2.C [“浸铜”步骤中,铜屑不能溶解完全,Cu在“脱氯”步骤还需要充当还原剂,故A错误;“浸铜”时,铜屑中加入$H_{2}SO_{4}$和$H_{2}O_{2}$得到$Cu^{2 + }$,反应的离子方程式为$Cu + 2H^{+}+H_{2}O_{2}=Cu^{2 + }+2H_{2}O$,故B错误;“脱氯”步骤中,“浸铜”后的溶液中加入锌浸出液,仅Cu元素的化合价发生改变,得到CuCl固体,即Cu的化合价升高,$Cu^{2 + }$的化合价降低,发生归中反应,离子方程式为$Cu + Cu^{2 + }+2Cl^{-}=2CuCl$,故C正确;脱氯液净化后电解,$Zn^{2 + }$应在阴极得到电子变为Zn,故D错误。]
3. (2023·湖北,3) 工业制备高纯硅的主要过程如下:
石英砂$\xrightarrow[1800~2000℃]{焦炭}$粗硅$\xrightarrow[300℃]{HCl}$SiHCl₃$\xrightarrow[1100℃]{H₂}$高纯硅
下列说法错误的是 ( )
A. 制备粗硅的反应方程式为SiO₂ + 2C$\stackrel{高温}{=\!=\!=}$Si + 2CO↑
B. 1 mol Si含Si—Si键的数目约为4×6.02×10²³
C. 原料气HCl和H₂应充分去除水和氧气
D. 生成SiHCl₃的反应为熵减过程
石英砂$\xrightarrow[1800~2000℃]{焦炭}$粗硅$\xrightarrow[300℃]{HCl}$SiHCl₃$\xrightarrow[1100℃]{H₂}$高纯硅
下列说法错误的是 ( )
A. 制备粗硅的反应方程式为SiO₂ + 2C$\stackrel{高温}{=\!=\!=}$Si + 2CO↑
B. 1 mol Si含Si—Si键的数目约为4×6.02×10²³
C. 原料气HCl和H₂应充分去除水和氧气
D. 生成SiHCl₃的反应为熵减过程
答案:
3.B [在晶体硅中,每个Si与其周围的4个Si形成共价键并形成立体空间网状结构,因此,平均每个Si形成2个共价键,1mol Si含Si - Si的数目约为$2\times6.02\times10^{23}$,B说法错误;$SiHCl_{3}$易水解,氢气中混有氧气易爆炸,原料气HCl和$H_{2}$应充分去除水和氧气,C说法正确;$Si + 3HCl\xlongequal{300^{\circ}C}SiHCl_{3}+H_{2}$,该反应是气体分子数减少的反应,因此,生成$SiHCl_{3}$的反应为熵减过程,D说法正确。]
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