2025年高考总复习首选用卷化学


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《2025年高考总复习首选用卷化学》

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9. 下列有关说法不正确的是( )


A. 四水合铜离子的模型如图1所示,1个水合铜离子中有4个配位键
B. $CaF_{2}$晶体的晶胞如图2所示,每个$CaF_{2}$晶胞平均占有4个$Ca^{2+}$
C. $H$原子的电子云图如图3所示,$H$原子核外大多数电子在原子核附近运动
D. 金属$Cu$晶胞结构如图4所示,每个$Cu$原子的配位数均为12
答案: C [C项,电子云密度表示电子在某一区域出现的机会的多少,H原子最外层只有一个电子,所以不存在大多数电子,只能说H原子的一个电子在原子核附近出现的机会较多。]
10.(2021·湖北高考)某立方晶系的锑钾($Sb - K$)合金可作为钾离子电池的电极材料,图a为该合金的晶胞结构图,图b表示晶胞的一部分。下列说法正确的是( )


A. 该晶胞的体积为$a^{3}\times10^{-36}cm^{3}$
B. $K$和$Sb$原子数之比为$3:1$
C. 与$Sb$最邻近的$K$原子数为4
D. $K$和$Sb$之间的最短距离为$\frac{1}{2}a$ pm
答案: B [该晶胞的边长为a×10⁻¹⁰ cm,故晶胞的体积为(a×10⁻¹⁰ cm)³ = a³×10⁻³⁰ cm³,A错误;该晶胞中K的个数为12×$\frac{1}{4}$ + 9 = 12,Sb的个数为8×$\frac{1}{8}$ + 6×$\frac{1}{2}$ = 4,故K和Sb原子数之比为3∶1,B正确;以面心处Sb为研究对象,与Sb最邻近的K原子数为8,C错误;K和Sb的最短距离为晶胞体对角线长度的$\frac{1}{4}$,即$\frac{\sqrt{3}}{4}a$ pm,D错误。]
11. 2022年2月4日冬奥会颁奖礼仪服内胆添加了第二代石墨烯发热材料,在通电情况下,碳分子团之间相互摩擦、碰撞而产生热能,热能又通过远红外线以平面方式均匀地辐射出来,产生一种由内而外的温暖。石墨烯是从石墨材料中剥离出来由碳原子组成只有一层原子厚度的二维晶体,结构如图所示。下列说法正确的是( )


A. 石墨烯是一种新型有机高分子材料
B. 石墨烯导电的原因与其表面存在未杂化的$p$电子形成的大$\pi$键有关
C. 石墨烯中平均每个六元碳环含有3个碳原子
D. 石墨中剥离石墨烯需要破坏化学键
答案: B [石墨烯是无机非金属材料,A错误;石墨烯中每个碳原子被3个环共用,平均每个六元碳环含有6÷3 = 2个碳原子,C错误;石墨中层与层之间的是分子间作用力,不是化学键,D错误。]
12.(2023·福建省福州市高三二模)可用于配制无机防锈颜料的复合氧化物的晶胞结构如图。下列说法中不正确的是( )


A. 该复合氧化物的化学式为$CaCrO_{3}$
B. 若图中$A$的原子坐标为$(1,0,0)$,则$C$的原子坐标为$(1,0.5,0.5)$
C. 若该晶体密度为$\rho g·cm^{-3}$,钙和氧的最近距离为$a$ nm,则阿伏加德罗常数$N_{A}=\frac{140}{\rho(\sqrt{2}a\times10^{-7})^{3}}mol^{-1}$
D. 由晶胞结构可知,与1个钙原子等距离且最近的氧原子有8个
答案: D [离Ca最近的氧原子在面心,共有12个,D错误。]
13.(1)(2023·浙江1月选考节选)$Si$与$P$形成的某化合物晶体的晶胞如图。该晶体类型是________,该化合物的化学式为________。

(2)(2023·山东卷节选)$-40^{\circ}C$时,$F_{2}$与冰反应生成$HOF$和$HF$。常温常压下,$HOF$为无色气体,固态$HOF$的晶体类型为________,$HOF$水解反应的产物为________(填化学式)。
(3)(2023·全国乙卷节选)已知一些物质的熔点数据如下表:
|物质|熔点/$^{\circ}C$|
|----|----|
|$NaCl$|800.7|
|$SiCl_{4}$| - 68.8|
|$GeCl_{4}$| - 51.5|
|$SnCl_{4}$| - 34.1|
$Na$与$Si$均为第三周期元素,$NaCl$熔点明显高于$SiCl_{4}$,原因是________________________。分析同族元素的氯化物$SiCl_{4}$、$GeCl_{4}$、$SnCl_{4}$熔点变化趋势及其原因______________________________。$SiCl_{4}$的空间结构为________,其中$Si$的轨道杂化形式为________。
答案:
(1)共价晶体 SiP₂
(2)分子晶体 HF、H₂O₂
(3)氯化钠为离子晶体,而SiCl₄为分子晶体 随着同族元素的电子层数的增多,其熔点依次升高,其原因是:SiCl₄、GeCl₄、SnCl₄均形成分子晶体,分子晶体的熔点由分子间作用力决定,分子间作用力越大则其熔点越高;随着其相对分子质量增大,其分子间作用力依次增大 正四面体 sp³

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