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2. 某同学进行硫酸铜晶体的制备和生长实验,配制了某温度时的硫酸铜热饱和溶液,静置、冷却到室温,观察晶体的生长,如图所示。

(1) 为获得较大的晶体,下列注意事项正确的有
① 制备饱和溶液时,要防止溶液过饱和而析出晶体
② 冷却速度要缓慢,用棉花或塑料泡沫保温,让溶液缓慢冷却
③ 选用晶体时,应使用纯净的硫酸铜,防止灰尘落入溶液
④ 过滤要快,防止饱和溶液迅速冷却而析出晶体
(2) 能判断原硫酸铜溶液已饱和的方法是
A. 观察颜色,溶液蓝色较深
B. 溶液冷却,有蓝色晶体析出
C. 蒸发少量水,有蓝色晶体析出
D. 加入硫酸铜晶体,晶体质量不变
(1) 为获得较大的晶体,下列注意事项正确的有
①②③④
。① 制备饱和溶液时,要防止溶液过饱和而析出晶体
② 冷却速度要缓慢,用棉花或塑料泡沫保温,让溶液缓慢冷却
③ 选用晶体时,应使用纯净的硫酸铜,防止灰尘落入溶液
④ 过滤要快,防止饱和溶液迅速冷却而析出晶体
(2) 能判断原硫酸铜溶液已饱和的方法是
D
(填字母)。A. 观察颜色,溶液蓝色较深
B. 溶液冷却,有蓝色晶体析出
C. 蒸发少量水,有蓝色晶体析出
D. 加入硫酸铜晶体,晶体质量不变
答案:
(1)①②③④
(2)D
(1)①②③④
(2)D
3. 结合化学与美术知识,制作“硫酸铜晶体装饰画”。要求:
(1) 设计晶体生长路径,形成图案;
(2) 说明如何控制结晶条件以实现设计效果。
(1) 设计晶体生长路径,形成图案;
(2) 说明如何控制结晶条件以实现设计效果。
答案:
(1)设计晶体生长路径:用细铁丝弯制成目标图案(如花朵、几何图形)作为骨架,或在培养皿底部用蜡笔绘制图案轮廓(蜡笔覆盖区域不结晶),在图案关键位置放置硫酸铜小晶种。
(2)控制结晶条件:①制备热饱和硫酸铜溶液(确保接近饱和,避免过饱和);②将带有骨架/蜡笔图案的培养皿中倒入热饱和溶液,晶种置于设计位置;③缓慢降温(室温静置),控制温度变化速度;④保持环境稳定,避免震动,使晶体沿晶种和骨架定向生长。
(1)设计晶体生长路径:用细铁丝弯制成目标图案(如花朵、几何图形)作为骨架,或在培养皿底部用蜡笔绘制图案轮廓(蜡笔覆盖区域不结晶),在图案关键位置放置硫酸铜小晶种。
(2)控制结晶条件:①制备热饱和硫酸铜溶液(确保接近饱和,避免过饱和);②将带有骨架/蜡笔图案的培养皿中倒入热饱和溶液,晶种置于设计位置;③缓慢降温(室温静置),控制温度变化速度;④保持环境稳定,避免震动,使晶体沿晶种和骨架定向生长。
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