《2025年新坐标同步练习八年级物理上册人教版青海专用》

7. 2023年2月哈工大宣布突破EUV光刻机关键技术,光刻技术是利用缩图透镜将绘在掩膜上的电路图通过光源投射到涂有光刻胶的硅片上,在硅片上成像越小芯片制程越小.

(1)光源发出的紫外线不能(选填“能”或“不能”)被人眼直接观察到.
(2)由原理图可知,掩膜在硅片上成倒立缩小的实像,缩图透镜的焦点在硅片的上方(选填“上方”或“下方”).
(3)这次我国直接从90 nm突破到了22 nm制程的芯片,如果缩图透镜相同,则要将掩膜向上方(选填“上方”或“下方”)移动.

答案：
(1)不能
(2)倒立缩小的实 上方
(3)上方

8. 在探究凸透镜成像的规律中：

(1)如图甲所示,该透镜的焦距为10.0cm.
(2)如图乙所示,应将光屏向下(选填“上”或“下”)调整,使烛焰、凸透镜、光屏的中心在同一高度,其目的是使像成在光屏的中心.
(3)当烛焰距离凸透镜25 cm时,移动光屏,使光屏上成倒立、缩小的实像；生活中的照相机就是利用这个原理制成的.
(4)接下来将蜡烛向凸透镜方向移动,若要在光屏上还能得到清晰的像,则应将光屏远离(选填“靠近”或“远离”)凸透镜.

答案：
(1)10.0
(2)下 使像成在光屏的中心
(3)缩小 照相机
(4)远离