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【题目】GaAs晶体的熔点很高, 硬度很大, 密度为ρ g·cm-3,Ga As 的摩尔质量分别为MGag·mol-1MAs g·mol-1, 原子半径分别为rGa pm rAs pm, 阿伏加德罗常数值为NA, 其晶胞结构如下图所示, 下列说法错误的是

A. 该晶体为原子晶体

B. 在该晶体中,GaAs均无孤对电子,GaAs的配位数均为4

C. 原子的体积占晶胞体积的百分率为

D. 所有原子均满足8电子稳定结构

【答案】C

【解析】

A.GaAs 晶体的熔点很高,硬度很大,符合原子晶体的特点

B.由晶胞结构可知,晶胞中As、Ga原子数目之比为1:1,As、Ga配位数相同,Ga与周围4As原子形成正四面体结构,As与周围4Ga原子也形成正四面体结构,原子均形成4个键,Ga原子价电子为3,与As形成4个共价键,说明As原子提供1对孤电子对给Ga形成配位键;

C.均摊法计算晶胞中各原子数目,再计算原子总体积,结合密度计算晶胞体积,空间利用率=晶胞最近原子总体积/晶胞体积×100%;

D.每个As、Ga原子都形成4个共价键,均没有孤电子对。

A.GaAs 晶体的熔点很高,硬度很大,为空间立体网站结构,属于原子晶体,故A正确;

B.由晶胞结构可知,Ga的配位数为4,晶胞中Ga原子数目=4,As原子数目=8×1/8+6×1/2=4,晶胞中As、Ga原子数目之比为1:1,故As配位数也是4,Ga与周围4As原子形成正四面体结构,As与周围4Ga原子也形成正四面体结构,原子均形成4个键,Ga原子价电子为3,与As形成4个共价键,说明As原子提供1对孤电子对给Ga形成配位键,As原子最外层5个电子全部成键,均没有孤电子对,故B正确;

C.晶胞中原子总体积=4×4/3π(rGa3+rAs3 )×10-30 cm3,晶胞质量=4×(MGa+MAs)/NA g,晶胞体积=(4×(MGa+MAs)/NA g)÷ρ g·cm-3,原子的体积占晶胞体积的百分率=×100%=4πρNA(r3Ga+r3As)/3(MGa+MAs)×10-30×100%,故C错误;

D.每个As、Ga原子都形成4个共价键,均没有孤电子对,所有原子均满足 8 电子稳定结构,故D正确,

故选:C。

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金属离子

pH

沉淀

沉淀

Fe3+

2.7

3.7

Cr3+

4.9

6.8

请回答:

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(2)某同学采用纸层析法判断步骤①加入KOH的量是否合适。在加入一定量KOH溶液后,用毛细管取样、点样、薄层色谱展开、氨熏后的点如图所示。加入KOH最适合的实验编号是(上图ABC中选择,实验顺序已乱)_________________,C的斑点颜色为_________________

(3)步骤②含Cr物质发生的主要反应的离子方程式为_________________

(4)在下列装置中,步骤②应选用实验装置是_________________(填标号)

(5)部分物质的溶解度曲线如图2,步骤⑤可能用到下列部分操作:a.蒸发至出现大量晶体,停止加热;b.冷却至室温;c.蒸发至溶液出现晶膜,停止加热;d.洗涤;e.趁热过滤;f.抽滤。请选择合适操作的正确顺序_________________

(6)步骤⑤中合适的洗涤剂是_________________(“无水乙醇乙醇-水混合液热水冰水”),粗产品进一步提纯的方法是_________________

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