与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在
内(t=0时刻，安培力大于mgsin
)，对PQ中电流I及受到的摩擦力F的分析正确的是
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与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在内(t=0时刻，安培力大于mgsin)，对PQ中电流I及受到的摩擦力F的分析正确的是
