| L2 |
| 4x |
(1)从电场I的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的位置;
(2)由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动
| L |
| n |
分析:(1)根据数学知识求出B点距离y轴的距离.由动能定理求出电子从B运动到C时的速度.电子离开第一象限电场后,先做匀速直线运动,进入第二象限电场后做类平抛运动:水平方向做匀速直线运动,竖直方向做匀加速直线运动,根据牛顿第二定律求出加速度,由位移公式求出水平位移.
(2)设从AB曲线边界处释放位置坐标为(x,y),再根据动能定理和类平抛运动的分解方法,求出电子从第二象限射出电场的位置.对全过程应用动能定理,得到电子离开MNPQ时的动能与x的关系,由数学知识求出最小的动能.
(3)设释放位置坐标为(x,y).若将左侧电场II整体水平向左移动
,要使电子从x=-2L,y=0处离开电场区域II,电子在电场区域II中类平抛运动通过的水平距离为L-
,竖直距离为y,运用同样的方法得到所有位置坐标方程.
(2)设从AB曲线边界处释放位置坐标为(x,y),再根据动能定理和类平抛运动的分解方法,求出电子从第二象限射出电场的位置.对全过程应用动能定理,得到电子离开MNPQ时的动能与x的关系,由数学知识求出最小的动能.
(3)设释放位置坐标为(x,y).若将左侧电场II整体水平向左移动
| L |
| n |
| L |
| n |
解答:解:
(1)由题,B点纵坐标yB=L,根据双曲线方程y=
得到,横坐标xB=
电子从B运动到C过程,根据动能定理得
eE
=
mv2,
电子在MNPQ区域做类平抛运动,
水平方向:s=vt,
竖直方向:L=
at2,a=
解得s=L.即电子从P点射出.
(2)设释放位置坐标为(x,y),则有
eEx=
mv2,
s=vt,
y=
at2=
t2
得到y=
又y=
,解得s=L
即所有从边界AB上静止释放的电子均从P点射出.
从边界AB出发到P点射出的全过程,由动能定理得:
Ek=eE(x+y)
又y=
,得到
Ek=eE(x+
),根据数学知识得知,当x=y=
时,动能Ek有最小值Ek=eEL
(3)设释放位置坐标为(x,y),eEx=
mv2,L-
=vt,y=
at2a=
,
解得:y=
(1-
)2
答:
(1)从电场I的边界B点处由静止释放电子,电子从P点射出.
(2)由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能是eEL;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动
(n≥1),要使电子从x=-2L,y=0处离开电场区域II,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置坐标方程为y=
(1-
)2.
(1)由题,B点纵坐标yB=L,根据双曲线方程y=
| L2 |
| 4x |
| L |
| 4 |
电子从B运动到C过程,根据动能定理得
eE
| L |
| 4 |
| 1 |
| 2 |
电子在MNPQ区域做类平抛运动,
水平方向:s=vt,
竖直方向:L=
| 1 |
| 2 |
| eE |
| m |
解得s=L.即电子从P点射出.
(2)设释放位置坐标为(x,y),则有
eEx=
| 1 |
| 2 |
s=vt,
y=
| 1 |
| 2 |
| eE |
| 2m |
得到y=
| s2 |
| 4x |
又y=
| L2 |
| 4x |
即所有从边界AB上静止释放的电子均从P点射出.
从边界AB出发到P点射出的全过程,由动能定理得:
Ek=eE(x+y)
又y=
| L2 |
| 4x |
Ek=eE(x+
| L2 |
| 4x |
| L |
| 2 |
(3)设释放位置坐标为(x,y),eEx=
| 1 |
| 2 |
| L |
| n |
| 1 |
| 2 |
| eE |
| m |
解得:y=
| L2 |
| 4x |
| 1 |
| n |
答:
(1)从电场I的边界B点处由静止释放电子,电子从P点射出.
(2)由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能是eEL;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动
| L |
| n |
| L2 |
| 4x |
| 1 |
| n |
点评:本题中电子先加速后偏转,基本方法是动能定理和运动的分解,难点在于数学知识的应用求极值和轨迹方程.