2025年步步高大一轮复习讲义物理教科版
注:目前有些书本章节名称可能整理的还不是很完善,但都是按照顺序排列的,请同学们按照顺序仔细查找。练习册 2025年步步高大一轮复习讲义物理教科版 答案主要是用来给同学们做完题方便对答案用的,请勿直接抄袭。
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【例 1】
(2023·天津卷·11) 如图,有一正方形线框,质量为 $ m $,电阻为 $ R $,边长为 $ l $,静止悬挂着,一个三角形磁场垂直于线框所在平面,磁感线垂直纸面向里,且线框中磁区面积为线框面积一半,磁感应强度变化 $ B = kt (k > 0) $,已知重力加速度 $ g $,求:
(1) 感应电动势 $ E $;
(2) 线框开始向上运动的时刻 $ t_0 $。
-
(2023·天津卷·11) 如图,有一正方形线框,质量为 $ m $,电阻为 $ R $,边长为 $ l $,静止悬挂着,一个三角形磁场垂直于线框所在平面,磁感线垂直纸面向里,且线框中磁区面积为线框面积一半,磁感应强度变化 $ B = kt (k > 0) $,已知重力加速度 $ g $,求:
(1) 感应电动势 $ E $;
(2) 线框开始向上运动的时刻 $ t_0 $。
(1)$\frac{kl^{2}}{2}$ (2)$\frac{2mgR}{k^{2}l^{3}}$
-
答案:
例1
(1)$\frac{kl^{2}}{2}$
(2)$\frac{2mgR}{k^{2}l^{3}}$
解析
(1)根据法拉第电磁感应定律有$E = \frac{l^{2}}{2} \cdot \frac{\Delta B}{\Delta t} = \frac{kl^{2}}{2}$
(2)由题图可知线框受到的安培力大小为$F_{A}=BIl=\frac{BEl}{R} = \frac{kl^{2}}{2R}\cdot kt$
当线框开始向上运动时有$F_{A}=mg$,解得$t_{0}=\frac{2mgR}{k^{2}l^{3}}$。
(1)$\frac{kl^{2}}{2}$
(2)$\frac{2mgR}{k^{2}l^{3}}$
解析
(1)根据法拉第电磁感应定律有$E = \frac{l^{2}}{2} \cdot \frac{\Delta B}{\Delta t} = \frac{kl^{2}}{2}$
(2)由题图可知线框受到的安培力大小为$F_{A}=BIl=\frac{BEl}{R} = \frac{kl^{2}}{2R}\cdot kt$
当线框开始向上运动时有$F_{A}=mg$,解得$t_{0}=\frac{2mgR}{k^{2}l^{3}}$。
针对训练 1
(2023·湖北卷·5) 近场通信 (NFC) 器件应用电磁感应原理进行通讯,其天线类似一个压平的线圈,线圈尺寸从内到外逐渐变大。如图所示,一正方形 NFC 线圈共 3 匝,其边长分别为 1.0 cm、1.2 cm 和 1.4 cm,图中线圈外线接入内部芯片时与内部线圈绝缘。若匀强磁场垂直通过此线圈,磁感应强度变化率为 $ 10^3 \, T/s $,则线圈产生的感应电动势最接近(

A.0.30 V
B.0.44 V
C.0.59 V
D.4.3 V
-
(2023·湖北卷·5) 近场通信 (NFC) 器件应用电磁感应原理进行通讯,其天线类似一个压平的线圈,线圈尺寸从内到外逐渐变大。如图所示,一正方形 NFC 线圈共 3 匝,其边长分别为 1.0 cm、1.2 cm 和 1.4 cm,图中线圈外线接入内部芯片时与内部线圈绝缘。若匀强磁场垂直通过此线圈,磁感应强度变化率为 $ 10^3 \, T/s $,则线圈产生的感应电动势最接近(
B
)A.0.30 V
B.0.44 V
C.0.59 V
D.4.3 V
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答案:
针对训练1 B [根据法拉第电磁感应定律$E = \frac{\Delta \Phi}{\Delta t}$,可得$E_{1}=\frac{\Delta B}{\Delta t}S_{1}$,$E_{2}=\frac{\Delta B}{\Delta t}S_{2}$,$E_{3}=\frac{\Delta B}{\Delta t}S_{3}$,三个线圈产生的感应电动势方向相同,故$E = E_{1} + E_{2} + E_{3}=10^{2}×(1.0^{2}+1.2^{2}+1.4^{2})×10^{-4}V = 0.44V$,故选B。]
针对训练 2
(2024·福建卷·4) 拓扑结构在现代物理学中具有广泛的应用。现有一条绝缘纸带,两条平行长边镶有铜丝,将纸带一端扭转 $ 180° $,与另一端连接,形成拓扑结构的莫比乌斯环,如图所示。连接后,纸环边缘的铜丝形成闭合回路,纸环围合部分可近似为半径为 $ R $ 的扁平圆柱。现有一匀强磁场从圆柱中心区域垂直其底面穿过,磁场区域的边界是半径为 $ r $ 的圆 $ (r < R) $。若磁感应强度大小 $ B $ 随时间 $ t $ 的变化关系为 $ B = kt $($ k $ 为常量),则回路中产生的感应电动势大小为(

A.0
B.$ k \pi R^2 $
C.$ 2k \pi r^2 $
D.$ 2k \pi R^2 $
-
(2024·福建卷·4) 拓扑结构在现代物理学中具有广泛的应用。现有一条绝缘纸带,两条平行长边镶有铜丝,将纸带一端扭转 $ 180° $,与另一端连接,形成拓扑结构的莫比乌斯环,如图所示。连接后,纸环边缘的铜丝形成闭合回路,纸环围合部分可近似为半径为 $ R $ 的扁平圆柱。现有一匀强磁场从圆柱中心区域垂直其底面穿过,磁场区域的边界是半径为 $ r $ 的圆 $ (r < R) $。若磁感应强度大小 $ B $ 随时间 $ t $ 的变化关系为 $ B = kt $($ k $ 为常量),则回路中产生的感应电动势大小为(
C
)A.0
B.$ k \pi R^2 $
C.$ 2k \pi r^2 $
D.$ 2k \pi R^2 $
-
答案:
针对训练2 C [由题意可知,铜丝构成的莫比乌斯环形成了两匝($n = 2$)线圈串联的闭合回路,穿过回路的磁场有效面积为$S = \pi r^{2}$,根据法拉第电磁感应定律可知,回路中产生的感应电动势大小为$E=n\frac{\Delta \Phi}{\Delta t}=n\frac{\Delta B\cdot S}{\Delta t}=2k\pi r^{2}$,故选C。]
1. 导体平动切割磁感线产生感应电动势的算式 $ E = Blv $ 的理解

答案:
导体两端点连线在垂直于磁场和速度方向上的长度;l sinβ;2R;0;0;磁场
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